Samsung LPDDR5 8 Gb: nová generácia rýchlejších a úspornejších RAM

Nové 8 Gb čipy od Samsungu nahradia aktuálne LPDDR4. Sú 1,5-krát rýchlejšie než aktuálna generácia, pričom ponúknu úsporu energie. Budú k dispozícii v dvoch variantoch a svoj výkon využijú pri 5G sieťach.

Samsung predstavil nové a rýchlejšie 8 Gb pamäte, ktoré nahradia aktuálnu generáciu LPDDR4. Prechádzajú na štandard LPDDR5, ktorý je 1,5-krát rýchlejší než aktuálna generácia. Výrobca ich opisuje ako krok vpred k nízkoenergetickým a výkonnejším 10 nm mobilným pamätiam. Budú k dispozícii v dvoch variantoch.

Prvý ponúkne dátovú priepustnosť na úrovni 6 400 Mb/s, pri napájaní 1,1 V. Z hľadiska hromadného prenosu dát to znamená, že LPDDR5 môžu odoslať 51,2 GB dát za sekundu. Druhý, menej výkonný variant, má priepustnosť 5 500 Mb/s a šetrnejšie 1,05 V napájanie.

Pamäte majú nový, tzv. deep sleep režim, ktorý zabraňuje nepretržitému prepisovaniu nulových buniek v stave nečinnosti. Je až o 30 % účinnejší než aktuálny idle režim v LPDDR4, čím šetrí zhruba tretinu spotrebovanej energie.

Nové čipy využijú svoj výkon napríklad pri rozširujúcej sa umelej inteligencii, nadchádzajúcej 5G sieti či zázname a editácii UHD videí. Samsung momentálne ukončil funkčné testovanie 8 GB LPDDR5 DRAM, ktoré sa skladajú z ôsmych 8 Gb LPDDR5 čipov (1 bajt = 8 bitov). Zatiaľ nie je známe, kedy presne nové pamäte uvidíme. Mnohí očakávajú, že by nimi mohol byť vybavený pripravovaný top model Galaxy S10.

Zdroj: Samsung

Diskusia k článku:

Začať diskusiu